GaAs MOSFET using MBE-grown Ga2O3 (Gd2 O3) as gate oxide

Kim، نويسنده , , S.-J.; Park، نويسنده , , J.-W.; Hong، نويسنده , , M.; Mannaerts، نويسنده , , J.P.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 1998

3

162

164

Molecular beam epitaxy , MOSFETs

I E T Circuits, Devices and Systems

1998

I E T Circuits, Devices and Systems

371236