Title of article :
High-voltage sustaining structure with embedded oppositely doped regions
Author/Authors :
Chen، نويسنده , , X.B.; Towers، نويسنده , , M.S.; Mawby، نويسنده , , P.; Board، نويسنده , , K.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 1999
Pages :
5
From page :
90
To page :
94
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
1999
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371301
Link To Document :
بازگشت