Title of article :
Impact ionisation in GaAs planar-doped barrier structures grown by molecular layer epitaxy
Author/Authors :
Liu، نويسنده , , Y.X.; Oyama، نويسنده , , Y.; Plotka، نويسنده , , P.; Suto، نويسنده , , K.; Nishizawa، نويسنده , , J.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2000
Pages :
6
From page :
165
To page :
170
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
2000
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371369
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=371369
