Impact of 0.25 μm dual gate oxide thickness CMOS process on flicker noise performance of multifingered deep-submicron MOS devices

Chew، نويسنده , , K.W.; Yeo، نويسنده , , K.S.; Chu، نويسنده , , S.-F.; Wang، نويسنده , , Y.M.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2001

6

312

317

I E T Circuits, Devices and Systems

2001

I E T Circuits, Devices and Systems

371448