Title of article :
High-power AlGaN/GaN HFET with lower on-state resistance and higher switching time for an inverter circuit
Author/Authors :
Yoshida، نويسنده , , S.; Li، نويسنده , , J.; Wada، نويسنده , , T.; Takehara، نويسنده , , H.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages :
4
From page :
207
To page :
210
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
2004
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371623
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=371623
