High power silicon RF LDMOSFET technology for 2.1 GHz power amplifier applications

Xu، نويسنده , , S.; Baiocchi، نويسنده , , F.; Safar، نويسنده , , H.; Lott، نويسنده , , J.; Shibib، نويسنده , , A.; Xie، نويسنده , , Z.; Nigam، نويسنده , , T.; Jones، نويسنده , , B.; Thompson، نويسنده , , B.; Desko، نويسنده , , J.; Gammel، نويسنده , , P.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

4

215

218

I E T Circuits, Devices and Systems

2004

I E T Circuits, Devices and Systems

371625