مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Improved method for determining inversion layer mobility of electrons in trench MOSFETs

Title of article :

Improved method for determining inversion layer mobility of electrons in trench MOSFETs

Author/Authors :

van den Heuvel، نويسنده , , M.G.L.; Hueting، نويسنده , , R.J.E.; Hijzen، نويسنده , , E.A.; Zandt، نويسنده , , M.A.Ai.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

Pages :

From page :

225

To page :

230

Journal title :

I E T Circuits, Devices and Systems

Serial Year :

2004

Journal title :

I E T Circuits, Devices and Systems

Record number :

371627

Link To Document :