Title of article :
Nitride-based light-emitting diodes with InGaN/GaN SAQD active layers
Author/Authors :
Ji، نويسنده , , L.W.; Su، نويسنده , , Y.K.; Chang، نويسنده , , S.J.; Hung، نويسنده , , S.C.; Chang، نويسنده , , C.S.; Wu، نويسنده , , L.W.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2004
Pages :
3
From page :
486
To page :
488
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Serial Year :
2004
Journal title :
I E T Circuits, Devices and Systems
Record number :
371667
Link To Document :
بازگشت