مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - SiC islands grown on Si(111)-(7 × 7) and Si(001)-(2 × 1) surfaces by C60 precursor

Title of article :

SiC islands grown on Si(111)-(7 × 7) and Si(001)-(2 × 1) surfaces by C60 precursor

Author/Authors :

K. Sakamoto، نويسنده , , M. Harada، نويسنده , , H. Ashima، نويسنده , , T. Suzuki، نويسنده , , T. Wakita، نويسنده , , A. Kasuya and S. Suto، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 1998

Pages :

From page :

897

To page :

903

Keywords :

silicon carbide , Electron energy loss spectroscopy , Silicon , Surface phonon , Charge transfer , Fullerenes

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Serial Year :

1998

Journal title :

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

Record number :

379008

Link To Document :