Electronic and atomic structures of Si–C–N thin film by X-ray-absorption spectroscopy

W. F. Pong، نويسنده , , Y. K. Chang، نويسنده , , H. H. Hsieh، نويسنده , , M. -C. Tsai، نويسنده , , K. H. Lee، نويسنده , , T. E. Dann، نويسنده , , F. Z. Chien، نويسنده , , P. K. Tseng، نويسنده , , K. L. Tsang، نويسنده , , W. K. Su، نويسنده , , L. C. Chen، نويسنده , , D. S. L. Wei، نويسنده , , K. H. Chen، نويسنده , , D. M. Bhusari and Y. F. Chen، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 1998

4

115

118

X-ray absorption near-edge structure (XANES) , Extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) , Core exciton , Hybridized states , First-principles calculations , Thin film

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

1998

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

379050