Chemistry and band offsets of HfO2 thin films on Si revealed by photoelectron spectroscopy and x-ray absorption spectroscopy

S. Toyoda ، نويسنده , , J. Okabayashi and O. Rader، نويسنده , , H. Kumigashira، نويسنده , , M. Oshima، نويسنده , , K. Ono، نويسنده , , M. Niwa، نويسنده , , K. Usuda and N. Hirashita، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

4

141

144

Band offsets , Photoelectron spectroscopy , X-ray absorption spectroscopy , HfO2 , Gate insulator

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

2004

JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY & RELATED PHENOMENA

380023