Author/Authors :
Enrico Santi، نويسنده , ,
Xiaosong Kang، نويسنده , , Antonio Caiafa، نويسنده , , Jerry L. Hudgins، نويسنده , , Patrick R. Palmer، نويسنده , , Dale Q. Goodwine، نويسنده , , and Antonello Monti، نويسنده ,
Keywords :
Electrothermal semiconductor models , insulatedgate bipolar transistor (IGBT) , power semiconductor modeling , physics-based power semiconductormodels , punch-through(PT) IGBT.
