Title of article :
Memories of tomorrow
Author/Authors :
Reohr، نويسنده , , W.، نويسنده , , Honigschmid، نويسنده , , H.، نويسنده , , Robertazzi، نويسنده , , R.، نويسنده , , Gogl، نويسنده , , D.، نويسنده , , Pesavento، نويسنده , , F.، نويسنده , , Lammers، نويسنده , , S.، نويسنده , , Lewis، نويسنده , , K.، نويسنده , , Arndt، نويسنده , , C.، نويسنده , , Yu Lu، نويسنده , , Viehmann، نويسنده , , H.، نويسنده , , Scheuerlein، نويسنده , , R.، نويسنده , , Li-Kong Wang، نويسنده , , Trouilloud، Wiline نويسنده , , P.، نويسنده , , Parkin، نويسنده , , S.، نويسنده , , Gallagher، نويسنده , , W.، نويسنده , , Muller، نويسنده , , G.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages :
11
From page :
17
To page :
27
Abstract :
With the promise of nonvolatility, practically infinite write endurance, and short read and write times, magnetic tunnel junction magnetic random access memory could become a future mainstream memory technology.
Journal title :
IEEE Circuits and Devices Magazine
Serial Year :
2002
Journal title :
IEEE Circuits and Devices Magazine
Record number :
397501
Link To Document :
بازگشت