Electrical characteristics of FinFET with vertically nonuniform source/drain doping profile

Dong-Soo Woo، نويسنده , , Jong-Ho Lee، نويسنده , , Woo Young Choi، نويسنده , , Byung-Yong Choi، نويسنده , , Young-Jin Choi، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

5

233

237

Double-gate , finFET , nonuniform source/drain(S/D) , silicon-on-insulator (SOI).

IEEE Transactions on Nanotechnology

2002

IEEE Transactions on Nanotechnology

398314