Title of article
Systematic electrical characteristics of ideal rectangular cross section Si-Fin channel double-gate MOSFETs fabricated by a wet process
Author/Authors
Yongxun Liu، نويسنده , , Ishii، نويسنده , , K.، نويسنده , , Tsutsumi، نويسنده , , T.، نويسنده , , Masahara، نويسنده , , M.، نويسنده , , Takashi Oguro and Kouei Sekigawa، نويسنده , , T.، نويسنده , , Sakamoto، نويسنده , , K.، نويسنده , , Takashima، نويسنده , , H.، نويسنده , , Yamauchi، نويسنده , , H.، نويسنده , , Suzuki، نويسنده , , E.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
7
From page
198
To page
204
Keywords
Double-gate MOSFET , Fin-typedouble-gate MOSFET (FXMOSFET) , finFET , orientation-dependentetching , short-channel effects , (110)-oriented SOI. , XMOS
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398349
Link To Document