On the FinFET extension implant energy

Gossmann، نويسنده , , H.-J.L.، نويسنده , , Agarwal، نويسنده , , A.، نويسنده , , Parrill، نويسنده , , T.، نويسنده , , Rubin، نويسنده , , L.M.، نويسنده , , Poate، نويسنده , , J.M.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

6

285

290

extension-implant , MOSFET , semiconductor device and process modeling , spike-annealing , FinFET , Double-gate MOSFET , ultrashallow junction.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398362