Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs

Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Hideo Nagumo، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

5

314

318

Body effect factor , threshold voltage , ultrathin body SOI MOSFET , variablethreshold CMOS (VTCMOS). , quantum confinement effects

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398367