Title of article
Enhancement of adjustable threshold voltage range by substrate bias due to quantum confinement in ultrathin body SOI pMOSFETs
Author/Authors
Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Hideo Nagumo، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages
5
From page
314
To page
318
Keywords
Body effect factor , threshold voltage , ultrathin body SOI MOSFET , variablethreshold CMOS (VTCMOS). , quantum confinement effects
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2003
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398367
Link To Document