A nanoscale memory and transistor using backside trapping

Silva، نويسنده , , H.، نويسنده , , Tiwari، نويسنده , , S.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

6

264

269

nonvolatile memory , flash memories , semiconductor memories , tunneling. , silicon-on-insulator (SOI) technology , Back-floating gate , CMOS device scaling , silicon–oxide–nitride–oxide–silicon (SONOS) memory , Scaling limits , EEPROM

IEEE Transactions on Nanotechnology

2004

IEEE Transactions on Nanotechnology

398416