Title of article :
A novel biasing scheme for I-MOS (impact-ionization MOS) devices
Author/Authors :
Woo Young Choi، نويسنده , , Jae Young Song، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Park، نويسنده , , Y.J.، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages :
4
From page :
322
To page :
325
Keywords :
avalanche breakdown , drain inducedcurrent enhancement (DICE) , impact-ionization metal–oxidesemiconductor (I-MOS) , novel biasing scheme , subthresholdswing.
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2005
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398494
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398494
بازگشت