Title of article
Channel width and length dependence in Si nanocrystal memories with ultra-nanoscale channel
Author/Authors
Brault، نويسنده , , J.، نويسنده , , Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages
6
From page
349
To page
354
Keywords
Bottleneck effect (BE) , quantum confinementeffect (QCE) , Scalability , Si nanocrystal (Si-NC) memory , ultra-narrow wire channel.
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2005
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398499
Link To Document