Channel width and length dependence in Si nanocrystal memories with ultra-nanoscale channel

Brault، نويسنده , , J.، نويسنده , , Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

6

349

354

Bottleneck effect (BE) , quantum confinementeffect (QCE) , Scalability , Si nanocrystal (Si-NC) memory , ultra-narrow wire channel.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398499