Impact of SOI thickness fluctuation on threshold voltage variation in ultra-thin body SOI MOSFETs

Tsutsui، نويسنده , , G.، نويسنده , , Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Hideo Nagumo، نويسنده , , T.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

5

369

373

Quantum confinement effects , silicon-on-insulator(SOI) thickness fluctuation , substrate bias , ultra-thin body (UTB) SOI MOSFET. , threshold voltagevariation

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398502