Three-dimensional simulation of realistic single electron transistors

Fiori، نويسنده , , G.، نويسنده , , Pala، نويسنده , , M.G.، نويسنده , , Iannaccone، نويسنده , , G، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

7

415

421

Poisson/Schr?dinger , single electron transistors (SETs) , silicon-on-insulator (SOI)technology , split gates , three-dimensional(3-D) solver.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398508