Device modeling and simulations toward sub-10 nm semiconductor devices

Sano، نويسنده , , N.، نويسنده , , Hiroki، نويسنده , , A.، نويسنده , , Matsuzawa، نويسنده , , K.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

9

63

71

quantum potential , Device simulation , drift-diffusion , long-rangeCoulomb potential , Many-body effects , Monte Carlo , Quantum effects , sub-10 nm metal–oxide–semiconductorfield-effect-transistors (MOSFETs).

IEEE Transactions on Nanotechnology

2002

IEEE Transactions on Nanotechnology

398532