مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Fast interface characterization of tunnel oxide MOS structures

Title of article :

Fast interface characterization of tunnel oxide MOS structures

Author/Authors :

Sell، نويسنده , , B.، نويسنده , , Schumann، نويسنده , , D.، نويسنده , , Krautschneider، نويسنده , , W.H، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2002

Pages :

From page :

110

To page :

113

Keywords :

Capacitance measurements , flatband potential , quantum mechanical corrections. , oxide thickness

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2002

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398538

Link To Document :