Title of article :
Single-electron transistors based on gate-induced Si island for single-electron logic application
Author/Authors :
Dae Hwan Kim، نويسنده , , Suk-Kang Sung، نويسنده , , Kyung Rok Kim، نويسنده , , Jong Duk Lee، نويسنده , , Byung-Gook Park، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2002
Pages :
6
From page :
170
To page :
175
Keywords :
sidewall gate , SOI. , single-electron inverter , Binary decision diagram , gate-induced island
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2002
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398545
Link To Document :
بازگشت