Enhanced radiative efficiency in GaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy

Neogi، نويسنده , , A.، نويسنده , , Everitt، نويسنده , , H.، نويسنده , , Morkoc، نويسنده , , H.، نويسنده , , Kuroda، نويسنده , , T.، نويسنده , , Tackeuchi، نويسنده , , A.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

5

10

14

GaN , molecular-beam epitaxy , quantum dots , Semiconductor nanostructures , time-resolved photoluminescence.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2003

IEEE Transactions on Nanotechnology

398562