مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Effects of dopant granularity on superhalo-channel MOSFETs according to two- and three-dimensional computer simulations

Title of article :

Effects of dopant granularity on superhalo-channel MOSFETs according to two- and three-dimensional computer simulations

Author/Authors :

Voon-Yew Aaron Thean، نويسنده , , Sadd، نويسنده , , M.، نويسنده , , White، نويسنده , , B.E.، نويسنده , , Jr.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

Pages :

From page :

To page :

101

Keywords :

Fluctuations , Numerical simulation. , MOSFET

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2003

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398576

Link To Document :