مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Simulating quantum transport in nanoscale MOSFETs: ballistic hole transport, subband engineering and boundary conditions

Title of article :

Simulating quantum transport in nanoscale MOSFETs: ballistic hole transport, subband engineering and boundary conditions

Author/Authors :

Venugopal، نويسنده , , R.، نويسنده , , Zhibin Ren، نويسنده , , Lundstrom، نويسنده , , M.S.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2003

Pages :

From page :

135

To page :

143

Keywords :

Ballistic transport , Boundary conditions , subbandengineering.

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2003

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398581

Link To Document :