Title of article :
50-nm fully depleted SOI CMOS technology with HfO/sub 2/ gate dielectric and TiN gate
Author/Authors :
J. Vandooren، نويسنده , , A.، نويسنده , , Egley، نويسنده , , S.، نويسنده , , Zavala، نويسنده , , M.، نويسنده , , Stephens، نويسنده , , T.، نويسنده , , Mathew، نويسنده , , L.، نويسنده , , Rossow، Edwin نويسنده , , M.، نويسنده , , Voon-Yew Aaron Thean، نويسنده , , A.، نويسنده , , Barr، نويسنده , , A.، نويسنده , , Shi، نويسنده , , Z.، نويسنده , , White، نويسنده , , T.، نويسنده , , Pham، نويسنده , , D.، نويسنده , , Conner، نويسنده , , J.، نويسنده , , Prabhu، نويسنده , , L.، نويسنده , , Triyoso، نويسنده , , D.، نويسنده , , Schaeffer، نويسنده , , J.، نويسنده , , Roan، نويسنده , , D.، نويسنده , , Bich-Yen Nguyen، نويسنده , , Orlowski، نويسنده , , M.، نويسنده , , John W. Mogab، نويسنده , , J.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2003
Pages :
5
From page :
324
To page :
328
Keywords :
Fully depleted SOI , metal gate , raised SD extension. , high-k dielectric
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2003
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398610
Link To Document :
بازگشت