Nanometer-scale analysis of current limited stresses impact on SiO/sub 2/ gate oxide reliability using C-AFM

Porti، نويسنده , , M.، نويسنده , , Nafria، M. نويسنده , , M.، نويسنده , , Aymerich، نويسنده , , X.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

6

55

60

atomic force microscopy , current limited stress , Dielectric breakdown , SiO2 films. , metal–oxide–semiconductor (MOS) devices

IEEE Transactions on Nanotechnology

2004

IEEE Transactions on Nanotechnology

398627