مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Toward long-term retention-time single-electron-memory devices based on nitrided nanocrystalline silicon dots

Title of article :

Toward long-term retention-time single-electron-memory devices based on nitrided nanocrystalline silicon dots

Author/Authors :

Shaoyun Huang، نويسنده , , Arai، نويسنده , , K.، نويسنده , , Usami، نويسنده , , K.، نويسنده , , Oda، نويسنده , , S.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2004

Pages :

From page :

210

To page :

214

Keywords :

quantum dots. , Charge carrier processes , MOSdevices , Nanotechnology , memories

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2004

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398649

Link To Document :