Title of article :
Effects of strong correlations in single electron traps in field-effect transistors
Author/Authors :
Mozyrsky، نويسنده , , D.، نويسنده , , Martin، نويسنده , , I.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Keywords :
Impurities , magnetoelectric effects , MOS devices , tunneling.
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
