Modeling hysteresis phenomena in nanotube field-effect transistors

Robert-Peillard، نويسنده , , A.، نويسنده , , Rotkin، نويسنده , , S.V.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

5

284

288

nanotube(NT) nonvolatile memory , tunneling. , Nanotechnology , hysteresis , NT transistors , Field-effect transistors (FETs) , Electrostatics of one-dimensional (1-D) systems

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398729