Analytical model of the effects of a nonuniform distribution of stored charge on the electrical characteristics of discrete-trap nonvolatile memories

Perniola، M. نويسنده , , L.، نويسنده , , Bernardini، نويسنده , , S.، نويسنده , , Iannaccone، نويسنده , , G.، نويسنده , , Masson، نويسنده , , P.، نويسنده , , Barbara De Salvo، نويسنده , , Ghibaudo، نويسنده , , G.، نويسنده , , Gerardi، نويسنده , , C، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

9

360

368

discrete-trap memory , nanocrystal memory , nonvolatile memory. , Device modeling

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398742