Title of article :
Three-dimensional simulation of realistic single electron transistors
Author/Authors :
Fiori، نويسنده , , G.، نويسنده , , Pala، نويسنده , , M.G.، نويسنده , , Iannaccone، نويسنده , , G، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2005
Pages :
7
From page :
415
To page :
421
Keywords :
three-dimensional(3-D) solver. , Poisson/Schr?dinger , split gates , silicon-on-insulator (SOI)technology , single electron transistors (SETs)
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2005
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398749
Link To Document :
بازگشت