A combined chemical vapor deposition and rapid thermal diffusion process for SiGe Esaki diodes by ultra-shallow junction formation

Wernersson، نويسنده , , L.-E.، نويسنده , , Kabeer، نويسنده , , S.، نويسنده , , Zela، نويسنده , , V.، نويسنده , , Lind، نويسنده , , E.، نويسنده , , Zhang، نويسنده , , J.، نويسنده , , Seifert، نويسنده , , W.، نويسنده , , Kosel، نويسنده , , T.H.، نويسنده , , Seabaugh، نويسنده , , A، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2005

5

594

598

ultra-highvacuumchemical vapor deposition (UHV CVD). , tunnel diode , Esaki diode , sIgE

IEEE Transactions on Nanotechnology

2005

IEEE Transactions on Nanotechnology

398775