Compact analytical model for room-temperature-operating silicon single-electron transistors with discrete quantum energy levels

Miyaji، نويسنده , , K.، نويسنده , , Saitoh، نويسنده , , M.، نويسنده , , Hiramoto، نويسنده , , T، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

7

167

173

Coulomb oscillation , silicon singleelectrontransistor (SET). , discrete quantum energy levels , Compact analytical model , negative differential conductance(NDC) , reduced-state master equation method

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398821