Effect of controlled asymmetry on the switching characteristics of ring-based MRAM design

Mani، نويسنده , , A.S.، نويسنده , , Geerpuram، نويسنده , , D.، نويسنده , , Baskaran، نويسنده , , V.S.، نويسنده , , V. V. Metlushko and V. V. Moshchalkov، نويسنده , , V.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

6

249

254

Magnetic anisotropy , magnetizationprocesses , magnetic memories , magnetization reversal.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398834