Title of article :
Ballistic quantum transport in nanoscale Schottky-barrier tunnel transistors
Author/Authors :
Ahn، نويسنده , , C.، نويسنده , , Shin، نويسنده , , M.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2006
Keywords :
Nano field-effect transistor (FET) , Schottky-barriertunnel transistor. , Quantum transport , nonequilibriumGreen’s function (NEGF)
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology