A Low-Power Nonvolatile Switching Element Based on Copper-Tungsten Oxide Solid Electrolyte

Kozicki، نويسنده , , M.N.، نويسنده , , Gopalan، نويسنده , , C.، نويسنده , , Balakrishnan، نويسنده , , M.، نويسنده , , Mitkova، نويسنده , , M.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

10

535

544

tungsten oxide , X-ray photoelectron spectroscopy. , nonvolatile memorydevices , Raman spectroscopy , resistance change , Solid electrolyte , Copper electrodeposition

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398875