Experimental Comparison Between Sub-0.1-$mu{hbox{m}}$ Ultrathin SOI Single- and Double-Gate MOSFETs: Performance and Mobility

Widiez، نويسنده , , J.، نويسنده , , Poiroux، نويسنده , , T.، نويسنده , , Vinet، نويسنده , , M.، نويسنده , , Mouis، نويسنده , , M.، نويسنده , , Deleonibus، نويسنده , , S.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2006

6

643

648

Coulomb scattering , lowfield mobility , MOSFETs , metal gate , double-gate (DG) , silicon-on-insulator (SOI)technology.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2006

IEEE Transactions on Nanotechnology

398885