Title of article
3-D Monte Carlo Simulation of the Impact of Quantum Confinement Scattering on the Magnitude of Current Fluctuations in Double Gate MOSFETs
Author/Authors
Riddet، نويسنده , , C.، نويسنده , , Brown، نويسنده , , A. R.، نويسنده , , Alexander، نويسنده , , C. L.، نويسنده , , Watling، نويسنده , , J. R.، نويسنده , , Roy، نويسنده , , S.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages
8
From page
48
To page
55
Keywords
Monte Carlo , Double gate MOSFET , Numericalsimulation , variability. , Quantum corrections
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year
2007
Journal title
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number
398910
Link To Document