Title of article :
3-D Monte Carlo Simulation of the Impact of Quantum Confinement Scattering on the Magnitude of Current Fluctuations in Double Gate MOSFETs
Author/Authors :
Riddet، نويسنده , , C.، نويسنده , , Brown، نويسنده , , A. R.، نويسنده , , Alexander، نويسنده , , C. L.، نويسنده , , Watling، نويسنده , , J. R.، نويسنده , , Roy، نويسنده , , S.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages :
8
From page :
48
To page :
55
Keywords :
Monte Carlo , Double gate MOSFET , Numericalsimulation , variability. , Quantum corrections
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2007
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398910
Link To Document :
بازگشت