Effects of High-$kappa$ (HfO$_2$) Gate Dielectrics in Double-Gate and Cylindrical-Nanowire FETs Scaled to the Ultimate Technology Nodes

Gnani، نويسنده , , E.، نويسنده , , Reggiani، نويسنده , , S.، نويسنده , , Rudan، نويسنده , , M.، نويسنده , , Baccarani، نويسنده , , G.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

7

90

96

Gate insulator , HfO2 , high- materials , MOSFETs , scaling issues.

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398915