Electron Mobility Model for $langle hbox{110} rangle$ Stressed Silicon Including Strain-Dependent Mass

Dhar، نويسنده , , S.، نويسنده , , Ungersbock، نويسنده , , E.، نويسنده , , Kosina، نويسنده , , H.، نويسنده , , Grasser، Thomas W. نويسنده , , T.، نويسنده , , Selberherr، نويسنده , , S.، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

4

97

100

Effective mass , low-field mobility , uniaxial stress/strain. , Mobility model

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398916