مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB

Title of article :

Atomistic Approach to Thickness-Dependent Bandstructure Calculation of InSb UTB

Author/Authors :

Guan، نويسنده , , X.، نويسنده , , Yu، نويسنده , , Z.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

101

To page :

105

Keywords :

carrier mobility , Bandstructure , Effective mass , ultrathin body(UTB). , density of states(DOS) , indium antimonide (InSb)

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398917

Link To Document :