Analysis of the Voltage Swing for Logic and Memory Applications in Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy

Sung-Yong Chung، نويسنده , , Niu Jin، نويسنده , , Pavlovicz، نويسنده , , R.E.، نويسنده , , Ronghua Yu، نويسنده , , Berger، نويسنده , , P.R.، نويسنده , , Thompson، نويسنده , , P.E، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

6

158

163

semiconductor device doping , semiconductor epitaxiallayers , semiconductor junctions , tunnel diodecircuits. , Annealing , tunnel diode , logic circuit fault tolerance , circuit noise

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398924