Title of article :
Selective Solid-Phase Silicon Epitaxy of ${hbox{p}}^{+}$ Aluminum-Doped Contacts for Nanoscale Devices
Author/Authors :
Civale، نويسنده , , Y.، نويسنده , , Nanver، نويسنده , , L.K.، نويسنده , , Francois G. Schellevis، نويسنده , , H.، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages :
5
From page :
196
To page :
200
Keywords :
selective epitaxial growth , p-n-p bipolar junction transistors , low-temperature processing , metal-induced crystallization , elevated source/drain , low-ohmic contacts , solidphaseepitaxy , ultrashallow junctions. , Al-doping
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2007
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398929
Link To Document :
بازگشت