Title of article :
3-D Design and Analysis of Functional NEMS-gate MOSFETs and SETs
Author/Authors :
Pruvost، نويسنده , , B.، نويسنده , , Mizuta، نويسنده , , H.، نويسنده , , Oda، نويسنده , , S، نويسنده ,
Issue Information :
روزنامه با شماره پیاپی سال 2007
Pages :
7
From page :
218
To page :
224
Keywords :
3-Dmodeling. , analytical modeling , movable gate , single-electron transistor (SET) , nanoelectromechanicalsystem (NEMS) , metal-oxide-semiconductorfield effect transistor (MOSFET)
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Serial Year :
2007
Journal title :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Record number :
398933
Link To Document :
https://search.isc.ac/dl/search/defaultta.aspx?DTC=10&DC=398933
بازگشت