Impact of Structure Relaxation on the Ultimate Performance of a Small Diameter, n-Type $langle 110 rangle$ Si-Nanowire MOSFET

Liang، نويسنده , , G.، نويسنده , , Kienle، نويسنده , , D.، نويسنده , , Patil، نويسنده , , Skr?ppa، Tore نويسنده , , Jing Wang، نويسنده , , Ghosh، نويسنده , , A.W.، نويسنده , , Khare، نويسنده , , S.V، نويسنده ,

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

5

225

229

Bandstructure , Quantum confinement , Geometry optimization , tightbinding. , nanowire , field-effect transistor (FET)

IEEE Transactions on Nanotechnology

2007

IEEE Transactions on Nanotechnology

398934