مرکز منطقه ای اطلاع رساني علوم و فناوري - Electron and Hole Current Characteristics of n-i-p-Type Semiconductor Quantum Dot Transistor

Title of article :

Electron and Hole Current Characteristics of n-i-p-Type Semiconductor Quantum Dot Transistor

Author/Authors :

Fujihashi، نويسنده , , C.، نويسنده , , Yukiya Hakuta، نويسنده , , T.، نويسنده , , Asenov، نويسنده , , A.، نويسنده ,

Issue Information :

روزنامه با شماره پیاپی سال 2007

Pages :

From page :

320

To page :

327

Keywords :

Electron and hole current , n-i-p type , stochastic theoretical solution. , quantumdot transistor

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Serial Year :

2007

Journal title :

IEEE Transactions on Nanotechnology

Record number :

398945

Link To Document :